Discos Duros SSD SAMSUNG MZ-V7S1T0BW

Un SSD en constante evoluci

Lo timo en rendimiento, mejorado. M rido que el 970 EVO, 970 EVO Plus funciona con la tima tecnolog V-NAND y optimizaci de firmware. Maximiza el potencial del ancho de banda NVMe™ para una configuraci inmejorable. En capacidades de hasta 2TB, con una fiabilidad de hasta 1200 TBW.

Rendimiento a un nuevo nivel

El 970 EVO Plus alcanza velocidades secuenciales de lectura y escritura de hasta 3,500/3.300 MB/s, hasta un 53% m rido que el 970 EVO. El timo V-NAND brinda un mayor rendimiento NAND y una mayor eficiencia energica, junto con un firmware optimizado, un controlador Phoenix probado y un TurboWrite boost inteligente.

Flexibilidad del dise

Un nuevo avance en NVMe™ SSD. El 970 EVO Plus almacena hasta 2TB en el factor de forma compacto M.2 (2280), ampliando enormemente la capacidad de almacenamiento y ahorrando espacio para otros componentes. La tecnolog innovadora de Samsung te brinda la capacidad de hacer m y llegar m lejos.

Resistencia excepcional

El nuevo estdar en rendimiento sostenible. Obt hasta 1200 TBW con una garant limitada de 5 as para un rendimiento duradero. El 970 EVO Plus ofrece una resistencia excepcional gracias a la tima tecnolog V-NAND y la calidad de Samsung.

Fiabilidad incomparable

Alcanza un nuevo nivel de confianza. El controlador avanzado recubierto de nuel de Samsung y el difusor tmico integrado en el 970 EVO Plus permiten una disipaci del calor superior. Dynamic Thermal Guard supervisa y mantiene automicamente las temperaturas de funcionamiento timas para minimizar las caas de rendimiento.

Samsung Magician

La gesti avanzada de tu disco, simplificada. El software Samsung Magician te ayudara mantener todo en orden. Un conjunto de herramientas files de usar te ayuda a mantener tu unidad actualizada, monitorear su estado y su velocidad de la unidad, e, incluso mejorar el rendimiento.

• Especificaciones

• Aplicaci
• Client PCs
• Interfaz
• PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3
• Dimensiones
• 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)
• Peso
• M 8.0 g
• Lectura secuencial
• Hasta 3,500 MB/s *El rendimiento puede variar en funci del hardware del sistema y la configuraci
• Escritura secuencial
• Hasta 3,300 MB/s * El rendimiento puede variar en funci del hardware del sistema y la configuraci
• Capacidad
• 1,000GB (1GB=Mil millones de bytes seg IDEMA) * La capacidad real puede ser menor (debido a formateo, partici, sistema operativo, aplicaciones u otros)
• Formato
• M.2 (2280)
• Interfaz
• PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3
• Dimensiones
• 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)
• Peso
• M 8.0 g
• Memoria de almacenamiento
• Samsung V-NAND 3-bit MLC
• Controller
• Samsung Phoenix Controller
• Memoria cach/b>
• Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
• Caracterticas especiales
• Soporte TRIM
• Compatible
• Soporte S.M.A.R.T
• Compatible
• GC (Garbage Collection)
• Auto Garbage Collection Algorithm
• Encriptaci
• AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
• Soporte Modo Suspensi en dispositivo
• S/li>
• Rendimiento
• Lectura secuencial
• Hasta 3,500 MB/s *El rendimiento puede variar en funci del hardware del sistema y la configuraci
• Escritura secuencial
• Hasta 3,300 MB/s * El rendimiento puede variar en funci del hardware del sistema y la configuraci
• Lectura aleatoria (4KB, QD32)
• Hasta 600,000 IOPS * El rendimiento puede variar en funci del hardware del sistema y la configuraci
• Escritura aleatoria (4KB, QD32)
• Hasta 550,000 IOPS * El rendimiento puede variar en funci del hardware del sistema y la configuraci
• Lectura aleatoria (4KB, QD1)
• Hasta 19,000 IOPS *El rendimiento puede variar en funci del hardware del sistema y la configuraci
• Escritura aleatoria (4KB, QD1)
• Hasta 60,000 IOPS * El rendimiento puede variar en funci del hardware del sistema y la configuraci
• Entorno
• Consumo energico medio
• *Media: 6 W * Mimo: 9 W (Burst mode) * El consumo de energ real puede variar en funci del hardware del sistema y la configuraci
• Consumo energico (Idle)
• Max. 30 mW * El consumo de energ real puede variar en funci del hardware del sistema y la configuraci
• Voltaje soportado
• 3.3 V 5 % Voltaje admisible
• Durabilidad (MTBF)
• Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF)
• Temperatura
• 0 - 70 ℃ Temperatura de funcionamiento
• Golpes
• 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)