Discos Duros SSD SAMSUNG MZ-V9E2T0BW

Actuaci

Actualice a una velocidad de lectura secuencial m rida de hasta 5000 MB/s, alcanzando un 43 % m rido que el modelo anterior.

La frase '70% mejorado' estescrita dentro de las leas superpuestas que dibujan un cculo.

Eficiencia energica

Eficiencia energica mejorada un 70 % en comparaci con el modelo anterior, lo que admite el modo de espera moderno y una mayor duraci de la bater.

Las palabras 'Juego, Trabajo, Crear' est escritas en un mouse para juegos, un grico circular y una tableta.

Versatilidad

Mejore el rendimiento diario en juegos, negocios y trabajo creativo con compatibilidad PCIe 4.0 x4 y PCIe 5.0 x2.

Velocidad que se mantiene por delante

El 990 EVO ofrece velocidades mejoradas de lectura/escritura secuencial de hasta 5000/4200 MB/s y velocidades de lectura/escritura aleatoria de hasta 700K/800K IOPS, alcanzando un 43% m rido que el 970 EVO Plus de 2TB. Espere menos por los juegos y acceda ridamente a archivos grandes.

Eficiencia energica evolucionada

Gira a la derecha y contin. Con una notable mejora del 70% en la eficiencia energica con respecto al modelo anterior, calcule durante m tiempo sin preocuparse por la duraci de la bater. Adem, es compatible con Modern Standby, lo que le permite permanecer conectado a Internet y seguir recibiendo notificaciones incluso en estado de bajo consumo de energ.

Soluci tmica inteligente

La etiqueta disipadora de calor del 990 EVO ayuda al control tmico del chip NAND. El algoritmo de control tmico de vanguardia de Samsung, junto con Dynamic Thermal Guard, garantiza un rendimiento constante y confiable. Mantenga su rendimiento al rojo vivo, no su impulso.

Software Samsung Mago

Haz que tu SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimizaci del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento de SSD. Es la forma fil y segura de migrar todos sus datos para una actualizaci de SSD de Samsung. Proteja datos valiosos, supervise el estado de la unidad y obtenga las timas actualizaciones de firmware.

Dando vida a las innovaciones

Durante dadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologs innovadoras que han cambiado cada aspecto de nuestra vida diaria. Esta tecnolog flash NAND tambi alimenta nuestros SSD de consumo, dejando espacio para el primo gran impulso de innovaci.

Especificaciones

• Factor de forma
• M.2
• Capacidad
• 2TB
• Velocidad de lectura secuencial
• Hasta 5.000 MB/s
• Velocidad de escritura secuencial
• Hasta 4200 MB/s
• INTERFAZ
• PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
• DIMENSIONES (AnchoxAltoxLargo)
• 80x22x2,38mm
• PESO
• Peso mimo 9,0 g
• ALMACENAMIENTO DE MEMORIA
• Samsung V-NAND TLC
• CONTROLADOR
• Controlador interno de Samsung
• MEMORIA CACH/b>
• HMB (ber de memoria del host)
• Caractertica especial
• SOPORTE DE RECORTE
• Soportado
• SOPORTE INTELIGENTE
• Soportado
• GC
• Algoritmo de recolecci automica de basura
• SOPORTE DE CIFRADO
• Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada)
• SOPORTE WWN
• No soportado
• SOPORTE DEL MODO DE SUSPENSI DEL DISPOSITIVO
• S/li>
• Rendimiento 2)
• LECTURA SECUENCIAL
• 2 TB: hasta 5000 MB/s
• ESCRITURA SECUENCIAL
• 2 TB: hasta 4200 MB/s
• LECTURA ALEATORIA (4KB, QD32)
• 2 TB: hasta 700 000 IOPS
• ESCRITURA ALEATORIA (4KB, QD32)
• 2 TB: hasta 800 000 IOPS
• LECTURA ALEATORIA (4KB, QD1)
• 2 TB: hasta 20 000 IOPS
  
• ESCRITURA ALEATORIA (4KB, QD1)
• 2 TB: hasta 90 000 IOPS
  
• CONSUMO DE ENERG PROMEDIO
  
• (NIVEL DE SISTEMA) 3)
• 2 TB: Promedio: Lectura 5,5 W/Escritura 4,7 W
  
• CONSUMO DE ENERG (INACTIVO) 3)
• 2 TB: tico 60 mW
  
• CONSUMO DE ENERG (REPOSO DEL DISPOSITIVO)
• 2 TB: tico 5 mW
  
• VOLTAJE PERMITIDO
• 3,3 V 5 % Tensi permitida
• CONFIABILIDAD (MTBF)
• Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF)
• TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO
• 0 - 70 ℃ Temperatura de funcionamiento
• CHOQUE
• 1.500 G y 0,5 ms (medio seno)
• KIT DE INSTALACION
• No disponible
• Software
• SO DE GESTI
• Software Magician para la gesti de SSD